薄膜型太阳能电池的制造方法

摘要

公开一种薄膜型太阳能电池的制造方法，因其在通过等离子体CVD方法沉积非晶硅的I型半导体层的过程期间的优化的成分气体含量比、优化的腔室压强或优化的衬底温度，所以能够通过减少存在于非晶硅中的悬键位或Si-H2键位的数量来降低太阳能电池的降解，，所述方法包括：在衬底上形成前电极层；在前电极层上顺序地沉积P型半导体层、I型半导体层和N型半导体层；以及在N型半导体层上形成后电极层，其中，形成I型半导体层的过程包括在满足上述条件中的至少一个的情形下通过等离子体CVD方法形成非晶硅层，所述条件如，含硅气体和含氢气体的含量比在1∶7到1∶10的范围内；腔室压强保持在2.0托到2.4托的范围内；以及衬底温度保持在225℃到250℃的范围内。

主权项

一种薄膜型太阳能电池的制造方法，其包括：在衬底上形成前电极层；在所述前电极层上顺序地沉积P型半导体层、I型半导体层和N型半导体层；以及在所述N型半导体层上形成后电极层，其中，形成所述I型半导体层的过程包括在腔室压强保持在2.0托到2.4托的范围内，且衬底温度保持在225℃到250℃的范围内的情形下，通过等离子体CVD方法形成非晶硅层。