| 发明名称 | 半导体装置及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种即使栅电极被薄膜化也具有高击穿耐压和高可靠性的半导体装置。本发明的半导体装置具有：多晶半导体层、栅绝缘膜以及栅电极以该顺序层叠在绝缘基板上的构造，该半导体装置其特征在于，上述多晶半导体层其表面粗糙度是9nm以下，上述栅绝缘膜具有如下的层叠构造，即：氧化硅膜设在多晶半导体层一侧、包括介电常数比氧化硅高的材料的膜设在栅电极一侧的层叠构造。 | ||
| 申请公布号 | CN101300681B | 申请公布日期 | 2010.06.23 |
| 申请号 | CN200680041227.4 | 申请日期 | 2006.07.24 |
| 申请人 | 夏普株式会社 | 发明人 | 松木薗广志 |
| 分类号 | H01L29/786(2006.01)I;H01L21/20(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/786(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人 | 王岳;刘宗杰 |
| 主权项 | 一种半导体装置，具有多晶半导体层、栅绝缘膜以及栅电极以该顺序层叠在绝缘基板上的构造，该半导体装置其特征在于，该多晶半导体层其表面粗糙度是9nm以下，该栅绝缘膜具有如下的层叠构造，即：氧化硅膜设在多晶半导体层一侧、包括介电常数比氧化硅高的材料的膜设在栅电极一侧的层叠构造。 | ||
| 地址 | 日本大阪府 | ||