| 发明名称 | PMOS晶体管的制造方法及栅极掺杂的方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种PMOS晶体管的制造方法及栅极的掺杂方法，其中PMOS晶体管的制造方法包括步骤：提供N型半导体衬底上具有栅极的半导体结构；向栅极及栅极两侧的N型半导体衬底进行重掺杂氟化硼和硼，从而在栅极两侧的N型半导体衬底中形成源极区和漏极区；在源极区、漏极区和/或栅极上形成绝缘硅化物层；对所述绝缘硅化物层进行退火。该方法使得所述绝缘硅化物层中的气泡减少，提高了半导体器件的稳定性。 | ||
| 申请公布号 | CN101752255A | 申请公布日期 | 2010.06.23 |
| 申请号 | CN200810207522.3 | 申请日期 | 2008.12.19 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 发明人 | 周祖源;刘佑铭 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I;H01L21/265(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 李丽 |
| 主权项 | 一种PMOS晶体管的制造方法，其特征在于，包括步骤：提供N型半导体衬底上具有栅极的半导体结构；向栅极及栅极两侧的N型半导体衬底进行重掺杂氟化硼和硼，从而在栅极两侧的N型半导体衬底中形成源极区和漏极区；在源极区、漏极区和/或栅极上形成绝缘硅化物层；对所述绝缘硅化物层进行退火。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||