发明名称 一种测量坩埚中硅熔体水平面相对高度的方法
摘要 一种测量坩埚中硅熔体水平面相对高度(指相对于热屏下缘的高度)的方法,方法包括以下步骤:将CCD摄像机安装在硅单晶炉上炉体的观测窗口上,观测单晶炉内热屏下缘和热屏在熔体上的倒影;图像处理系统对CCD拍摄到的图像进行扫描,计算得到热屏在熔体上倒影的半径,将这个半径值代入经推导得到的热屏倒影半径r同液面相对高度H(液面距离热屏下端面高度)关系公式可以计算出液面相对高度。本发明优点是:可以实时监控熔体液面的相对高度变化,通过图像处理软件分析像素值增减来计算液面的高度变化。
申请公布号 CN101748478A 申请公布日期 2010.06.23
申请号 CN200810239916.7 申请日期 2008.12.15
申请人 北京有色金属研究总院;有研半导体材料股份有限公司 发明人 崔彬;高宇;吴志强;戴小林
分类号 C30B15/20(2006.01)I 主分类号 C30B15/20(2006.01)I
代理机构 北京北新智诚知识产权代理有限公司 11100 代理人 郭佩兰
主权项 一种测量坩埚中硅熔体水平面相对高度的方法,其特征在于:它包括以下步骤:(1)、将CCD摄像机安装在硅单晶炉上炉体的观测窗口上,观测单晶炉内热屏下缘和热屏在熔体上的倒影;(2)、图像处理系统对CCD拍摄到的图像进行扫描;(3)、将热屏倒影扫描点坐标换算为相应热屏倒影坐标r;(4)、将r值输入根据液面相对高度H、热屏下缘半径R、热屏倒影半径r、CCD镜头到籽晶提升钢缆的距离k和镜头到热屏下缘的距离b之间空间关系推到的关系函数,计算得到液面距离热屏下端高度H。
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