| 发明名称 | 瓶型沟槽电容器的形成方法 | ||
| 摘要 | 一种瓶型沟槽电容器形成方法，包括：形成沟槽于基底中；形成电容器于沟槽的下部分；形成导电层于电容器上，且导电层以环状介电层与基底隔绝；以及于环状介电层上方之沟槽侧壁成长磊晶层，以缩小沟槽之开口面积。 | ||
| 申请公布号 | TWI326494 | 申请公布日期 | 2010.06.21 |
| 申请号 | TW094104298 | 申请日期 | 2005.02.15 |
| 申请人 | 南亚科技股份有限公司 | 发明人 | 苏国辉;吴昌荣;陈逸男 |
| 分类号 | H01L29/92;H01L21/8242 | 主分类号 | H01L29/92 |
| 代理机构 | 代理人 | 洪澄文;颜锦顺 | |
| 主权项 | 一种瓶型沟槽电容器形成方法，包括：形成一沟槽于一基底中；形成一电容器于该沟槽的下部分；形成一导电层于该电容器上，且该导电层以一环状介电层与该基底隔绝；以及于该环状介电层上方之沟槽侧壁成长一磊晶层，以缩小该沟槽上部分之开口微距。 | ||
| 地址 | 桃园县龟山乡华亚科技园区复兴三路669号 | ||