隔离区的形成方法

摘要

本发明提供一种隔离区的形成方法，首先，提供一具有一离子植入区之半导体基底，且半导体基底上形成有一硬罩幕层；接着，于半导体基底形成一露出离子植入区之沟槽，并于沟槽底部形成一掺杂玻璃层，及于沟槽之侧壁形成一间隙壁，并去除掺杂矽玻璃层；然后，于沟槽底部形成一阻隔层，且对半导体基底进行等向性蚀刻，以在沟槽底部形成一侧向沟槽，且去除阻隔层，及对露出表面之半导体基底进行热氧化步骤，以形成一第一氧化层，于沟槽形成一第二氧化层，第一氧化层及第二氧化层共同形成一组合隔离区。

主权项

一种隔离区的形成方法，包括下列步骤：提供一半导体基底，该半导体基底中具有一离子植入区，且该半导体基底上形成有一硬罩幕层；于该半导体基底形成一沟槽，该沟槽底部露出部份该离子植入区；于该沟槽底部形成一掺杂玻璃层；于该沟槽之侧壁形成一间隙壁；以该间隙壁为蚀刻罩幕去除该掺杂矽玻璃层；于该沟槽底部形成一阻隔层；以该硬罩幕层及该间隙壁为蚀刻罩幕对该半导体基底进行等向性蚀刻，以在该沟槽底部形成一侧向沟槽；去除该阻隔层；对该侧向沟槽中露出之该半导体基底进行热氧化步骤，以形成一第一氧化层；去除该间隙壁；于该沟槽形成一第二氧化层，其中该第一氧化层及该第二氧化层共同形成一组合隔离区；及去除该硬罩幕层。