发明名称 |
画素结构的制作方法 |
摘要 |
一种画素结构的制作方法,其包括下列步骤。首先,于基板上形成闸极,并于基板上形成闸介电层以覆盖闸极。接着,于闸介电层上形成通道层,并于通道层上形成第二金属层。接着,于第二金属层上形成图案化光阻层,并以图案化光阻层为罩幕移除部分之第二金属层,以于闸极两侧的通道层上形成源极与汲极,其中闸极、通道层、源极以及汲极构成薄膜电晶体。之后,于图案化光阻层、闸介电层以及薄膜电晶体上形成保护层。移除图案化光阻层,以使图案化光阻层上之保护层一并被移除,而形成图案化保护层,并暴露出汲极。接着,于图案化保护层与汲极上形成一画素电极。 |
申请公布号 |
TWI326486 |
申请公布日期 |
2010.06.21 |
申请号 |
TW097124271 |
申请日期 |
2008.06.27 |
申请人 |
友达光电股份有限公司 |
发明人 |
杨智钧;黄明远;林汉涂;石志鸿;廖达文;方国龙;蔡佳琪 |
分类号 |
H01L27/088;H01L29/786;H01L21/8234;G02F1/136 |
主分类号 |
H01L27/088 |
代理机构 |
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代理人 |
詹铭文;萧锡清 |
主权项 |
一种画素结构的制作方法,包括:提供一基板;形成一闸极于该基板上;形成一闸介电层于该基板上,以覆盖该闸极;形成一通道层于该闸极上方的该闸介电层上;形成一第二金属层于该通道层上;形成一图案化光阻层于该第二金属层上,并以该图案化光阻层为罩幕移除部分之该第二金属层,以于该闸极两侧的该通道层上形成一源极以及一汲极,其中该闸极、该通道层、该源极以及该汲极构成一薄膜电晶体;形成一保护层于该图案化光阻层、该闸介电层以及该薄膜电晶体上;移除该图案化光阻层,以使该图案化光阻层上之该保护层一并被移除,而形成一图案化保护层,并暴露出该源极与该汲极;以及形成一画素电极于该图案化保护层与该汲极上。 |
地址 |
新竹市新竹科学工业园区力行二路1号 |