| 发明名称 |
促进碳奈米管之稳定合成的方法与结构 |
| 摘要 |
一种合成碳奈米管的方法及其所形成之结构系被揭露。此方法包括形成碳奈米管于第一基质所支持的复数个合成地点、中断奈米管合成、将每一个碳奈米管之自由端固定于第二基质上、以及移除第一基质。每一个碳奈米管是由合成地点其中之一所覆盖，且成长反应物已可在合成地点存取。随着碳奈米管增长，在回复的(resume)奈米管合成期间，存取合成地点维持不受阻碍。 |
| 申请公布号 |
TWI326271 |
申请公布日期 |
2010.06.21 |
| 申请号 |
TW093134663 |
申请日期 |
2004.11.12 |
| 申请人 |
万国商业机器公司 |
发明人 |
古川利治;马克 查理斯 哈奇;史蒂芬 约翰 福尔摩斯;大卫 瓦克拉夫 荷拉克;查理斯 威廉 柯伯格三世;彼得Ｈ 米歇尔;赖瑞 亚兰 奈斯毕 |
| 分类号 |
C01B31/02;C23C16/26;C30B29/66 |
主分类号 |
C01B31/02 |
| 代理机构 |
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代理人 |
蔡玉玲 |
| 主权项 |
一种量产碳奈米管的方法，包含：合成复数个碳奈米管于一第一基质所负载的复数个合成地点至一第一长度；中断该复数个碳奈米管之合成；以一第二基质支持每一该复数个碳奈米管的自由端；分隔该复数个合成地点与该第一基质；以及回复合成该复数个合成地点的该复数碳奈米管，以增长该复数个碳奈米管至大于该第一长度的一第二长度。 |
| 地址 |
美国 |
