发明名称 |
作为铜阻挡层之电镀CoWP的复合结构 |
摘要 |
一种复合材料包含一含铜层,以及在此铜层上电解沉积的一CoWP薄膜。此CoWP薄膜含有11至25原子百分比的磷,厚度为5至200 nm。本发明亦针对制造一互连结构的方法,包含:提供一个沟渠或导孔于一介电材料中,且提供一含铜导电金属于此沟渠或导孔中;以及藉由电解沉积形成一层CoWP薄膜于此铜层上。此CoWP薄膜含有10至25原子百分比的磷,厚度为5至200 nm。本发明也针对一互连结构,包含与一金属层接触的一介电层;以及在此金属层上电解沉积的CoWP薄膜,及在此CoWP薄膜上的一铜层。 |
申请公布号 |
TWI326478 |
申请公布日期 |
2010.06.21 |
申请号 |
TW093133192 |
申请日期 |
2004.11.01 |
申请人 |
万国商业机器公司 |
发明人 |
卡布罗二世 西瑞尔;斯蒂芬尼R 席哈斯;伊玛尔 艾塞瑞 库波;哈里克亚 戴林恩伊;安德鲁 齐拉克;乔狄斯M 鲁冰诺;罗杰Y 蔡 |
分类号 |
H01L21/76;C25D3/56 |
主分类号 |
H01L21/76 |
代理机构 |
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代理人 |
蔡玉玲 |
主权项 |
一种复合材料,包含:一含铜层;以及一电解沉积的CoWP薄膜,于该含铜层上,其中该CoWP薄膜含有13.2至25原子百分比的磷,且具有5 nm至200 nm的厚度。 |
地址 |
美国 |