| 发明名称 |
具有位于边界内由源极／汲极区域产生之差排环之半导体装置及制造方法 |
| 摘要 |
本发明提供一种电晶体装置(100)，其包含一形成于一基板(110)上之闸极结构(130)及接近该闸极结构(130)形成之源极/汲极区域(150)。该等源极/汲极区域(150)具有一与该基板(110)形成一电接合之边界。在该基板(110)中，在该等源极/汲极区域(150)之该边界内形成差排环(160)。该等差排环(160)可藉由向该基板内植入一诸如氩或氮之惰性物质或植入一诸如锗之非惰性物质及使该基板退火而形成。 |
| 申请公布号 |
TWI326471 |
申请公布日期 |
2010.06.21 |
| 申请号 |
TW095102859 |
申请日期 |
2006.01.25 |
| 申请人 |
德州仪器公司 |
发明人 |
安东尼欧 路易斯 帕奇柯 罗多达洛;柳凯平;陈杰弘;艾米达 简 |
| 分类号 |
H01L21/336;H01L21/768;H01L21/265 |
主分类号 |
H01L21/336 |
| 代理机构 |
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代理人 |
陈长文 |
| 主权项 |
一种用于制造一半导体装置之方法，其包括：在一基板上形成一闸极结构；在该基板中接近该闸极结构处形成源极/汲极区域，该等源极/汲极区域具有一与该基板形成一电接合之边界；及藉由植入一惰性物质且使该基板退火以在该基板中形成应变由差排环引起，该等差排环位则未延伸出于该等源极/汲极区域之该边界且于该闸极结构下方之一通道区域中产生一应变；其中形成源极/汲极区域之该步骤包括形成延伸植入部分和形成深源极/汲极部份及其中形成该应变由差排环引起之该步骤则于形成该深源极/汲极部份前发生。 |
| 地址 |
美国 |
