循序式记忆体及其存取方法

摘要

一种循序存取记忆体之方法，系应用于记忆体，记忆体具有m＋1条位元线及至少一列电晶体，m为正整数。此方法包括，首先，于预放电周期，使得电晶体之第一端及第二端之电压位准均为地电压。接着，于第n读取周期，转换第n个电晶体之第一端之电压位准为源极电压，第二端之电压位准为汲极电压，转换第n＋1个电晶体之第二端之电压位准为隔离电压，n为小于m之正整数。之后，于第m读取周期，转换第m个电晶体之第一端之电压位准为源极电压，第二端之电压位准为汲极电压。其中，源极电压系相等于地电压。

主权项

一种循序存取记忆体之方法，系应用于一记忆体，该记忆体具有m＋1条位元线及至少一列电晶体，m为正整数，该列电晶体依序具有m个电晶体，该第x个电晶体之第一端系耦接至该第x条位元线，该第x个电晶体之第二端系耦接至该第x＋1条位元线，x为小于或等于m之正整数，该方法包括：于一预放电周期，使得该些电晶体之第一端及第二端之电压位准均为一地电压；于一第n读取周期，转换该第n个电晶体之第一端之电压位准为一源极电压，转换该第n个电晶体之第二端之电压位准为一汲极电压，转换该第n＋1个电晶体之第二端之电压位准为一隔离电压，n为小于m之正整数；以及于一第m读取周期，转换该第m个电晶体之第一端之电压位准为该源极电压，转换该第m个电晶体之第二端之电压位准为该汲极电压；其中，该源极电压系相等于该地电压。