| 发明名称 | 制作应变矽通道金氧半导体电晶体之方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种制作应变矽通道金氧半导体电晶体元件的方法，包含提供一基底，于该基底上形成至少一闸极结构，于该闸极结构上形成一遮罩层，进行一蚀刻制程以于该闸极结构相对两侧之该基底内形成二凹槽，进行一选择性磊晶成长制程以于该等凹槽内分别形成一磊晶层。 | ||
| 申请公布号 | TWI326472 | 申请公布日期 | 2010.06.21 |
| 申请号 | TW096100931 | 申请日期 | 2007.01.10 |
| 申请人 | 联华电子股份有限公司 | 发明人 | 谢朝景 |
| 分类号 | H01L21/336 | 主分类号 | H01L21/336 |
| 代理机构 | 代理人 | 戴俊彦 | |
| 主权项 | 一种制作应变矽通道(strained silicon channel)金氧半导体(MOS)电晶体元件的方法，包含有：提供一基底；于该基底上形成至少一闸极结构；于该闸极结构上形成一遮罩层；进行一蚀刻制程，以于该闸极结构相对两侧之该基底内形成二凹槽；以及进行一选择性磊晶成长(selective epitaxial growth，SEG)制程，以于该等凹槽内分别形成一磊晶层。 | ||
| 地址 | 新竹市新竹科学工业园区力行二路3号 | ||