发明名称 半导体元件搭载构件、半导体装置、发光二极体构成构件、发光二极体及摄像装置
摘要 本发明的集合基板1于陶瓷胚片烧成之后,再形成贯通孔11而制得,在贯通孔11内面从主面21侧、外部连接面22侧起,朝向最小孔部11a,形成开口尺寸呈逐渐变小的推拔面11b、11c;并将二推拔面11b、11c、与主面21、外部连接面22间之夹角θ1、θ2均设定成钝角。本发明的半导体元件搭载构件BL具备有用于分割集合基板1的绝缘构件2。本发明的摄像装置PE2系在由绝缘构件2主面21侧所接合之框体4所包围之区域中搭载摄像元件PE1,并以盖体FL封闭。本发明的发光二极体构成构件LE2在最小孔部11a被导电材料33a填满的绝缘构件2主面21上,搭载发光元件LE1,并以萤光体及/或保护树脂FR密封。本发明的发光二极体LE3将发光二极体构成构件LE2搭载于封装7上。
申请公布号 TWI326483 申请公布日期 2010.06.21
申请号 TW096143369 申请日期 2005.12.21
申请人 联合材料股份有限公司 发明人 桧垣贤次郎;高木大辅;石津定;筑木保志
分类号 H01L23/15;H01L33/00 主分类号 H01L23/15
代理机构 代理人 赖经臣;宿希成
主权项 一种半导体元件搭载构件,其特征在于具备有:由陶瓷一体形成的绝缘构件,形成一面为半导体元件搭载用之主面而背面为与其他构件间连接用之外部连接面的板状,同时分别具有贯通上述板之厚度方向的贯通孔,其内面形成从设于上述主面侧与外部连接面侧开口朝向上述厚度方向之一处所设置之最小孔部而开口尺寸逐渐变小之推拔状;半导体元件搭载用之电极层,形成于上述绝缘构件之主面;与其他构件连接用之电极层,形成于外部连接面;及导电层,形成于贯通孔之内面,连接主面侧之电极层与外部连接面侧之电极层。
地址 日本