Verfahren zur Herstellung einer Siliziumkarbid-Halbleitervorrichtung,申请号DE20071051176-传众专利搜索

发明名称	Verfahren zur Herstellung einer Siliziumkarbid-Halbleitervorrichtung
摘要
申请公布号	DE102007051176(B4)	申请公布日期	2010.06.17
申请号	DE20071051176	申请日期	2007.10.25
申请人	DENSO CORPORATION	发明人	NAKAMURA, HIROKI;ICHIKAWA, HIROYUKI;OKUNO, EIICHI
分类号	H01L21/336;H01L21/3105	主分类号	H01L21/336
代理机构		代理人
主权项
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