图形化衬底的GaN基LED外延片及该外延片的制备方法

摘要

本发明提供了一种图形衬底的GaN基LED外延片及制备该外延片的方法，其是在外延片衬底上包括有分布DBR反射层，该DBR反射层是由两种折射率不同的透明材料周期交替生长的层状结构，该层状结构的DBR反射层在衬底上形成相间隔的至少两个图形结构；该图形结构之间形成窗口区，GaN外延层即可从窗口区进行外延生长，本发明的外延生长由于晶体生长方向垂直于原来的位错运动方向，且掩膜层阻断了大部分扩展位错的运动，因此能大大降低外延层中扩展位错的密度，提高GaN外延薄膜的晶体质量；同时，本发明的图形化衬底上的DBR反射层结构是两种折射率不同的材料周期交替生长的层状结构，将有源区向下发射的光反射到出光的上表面，大大的提高了LED的出光效率。

主权项

一种图形衬底的GaN基LED外延片，包括衬底、及该衬底上形成的缓冲层、非掺杂本征GaN层、N型GaN层、InGaN/GaN有源层、多量子阱和P型GaN层，其特征在于：所述的衬底上还包括DBR反射层，该DBR反射层是由两种折射率不同的材料周期交替生长的层状结构，该层状结构的反射层在衬底上形成相间隔的至少两个图形结构。