| 发明名称 | 具有铜布线的半导体器件的制造方法及半导体器件 | ||
| 摘要 | 一种具有铜布线的半导体器件的制造方法及半导体器件。所述具有铜布线的半导体器件的制造方法，包括：在形成铜布线之后，在铜布线表面形成工艺层，所述工艺层的压应力抑制所述铜布线向所述工艺层的弹性变化。所述具有铜布线的半导体器件的制造方法及半导体器件能够改善铜布线出现鼓包状缺陷的情况。 | ||
| 申请公布号 | CN101740472A | 申请公布日期 | 2010.06.16 |
| 申请号 | CN200810202842.X | 申请日期 | 2008.11.17 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 发明人 | 蔡明;赵简 |
| 分类号 | H01L21/768(2006.01)I;H01L23/522(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/768(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 李丽 |
| 主权项 | 一种具有铜布线的半导体器件的制造方法，其特征在于，包括：在形成铜布线之后，在铜布线表面形成工艺层，所述工艺层的压应力抑制所述铜布线向所述工艺层的弹性变化。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||