一种低电压缓启动电路

摘要

本发明公开了一种低电压缓启动电路，包括晶体管MOS1和控制回路，所述晶体管MOS1为N-channel MosFET，晶体管MOS1的漏极接主输入电压Vin1，晶体管MOS1的源极接输出电压Vout，晶体管MOS1的栅极接控制回路，控制回路的另一端与辅助输入电压Vin2相连，由于采用了有差值且差值大于晶体管MOS1的阈值电压的两路输入电压Vin1和Vin2，使得晶体管MOS1能够正常导通，又由于控制回路控制晶体管MOS1的导通时间，并使输出电压平滑上升，从而实现低电压缓启动和时序控制的功能，同时也解决了输出电压出现打嗝现象的问题。

主权项

一种低电压缓启动电路，其特征在于，包括晶体管MOS1和控制回路，所述晶体管MOS1为N-channel MosFET，晶体管MOS1的漏极接主输入电压Vin1，晶体管MOS1的源极接输出电压Vout，晶体管MOS1的栅极接控制回路，控制回路的另一端与辅助输入电压Vin2相连，用于控制晶体管MOS1的导通时间，并使输出电压平滑上升，辅助输入电压Vin2高于主输入电压Vin1，且高出的电压值大于晶体管MOS1的阈值电压。