| 发明名称 | MOS晶体管及其形成方法 | ||
| 摘要 | 本发明提出一种MOS晶体管的形成方法，包括：在半导体衬底上依次形成栅介质层与栅极，所述栅介质层与栅极构成栅极结构；在栅极结构两侧形成偏移侧墙，所述偏移侧墙的宽度为8纳米～9纳米；在栅极结构及偏移侧墙两侧的半导体衬底内形成源/漏延伸区；在偏移侧墙上形成间隙壁；在间隙壁及栅极结构两侧的半导体衬底内形成源/漏极。本发明使热载流子的稳定性提高，减小了热载流子效应。 | ||
| 申请公布号 | CN101740389A | 申请公布日期 | 2010.06.16 |
| 申请号 | CN200810202701.8 | 申请日期 | 2008.11.13 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 发明人 | 张莉菲 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I;H01L29/423(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人 | 屈蘅;李时云 |
| 主权项 | 一种MOS晶体管的形成方法，其特征在于，包括：在半导体衬底上依次形成栅介质层与栅极，所述栅介质层与栅极构成栅极结构；在栅极结构两侧形成偏移侧墙，所述偏移侧墙的宽度为8纳米～9纳米；在栅极结构及偏移侧墙两侧的半导体衬底内形成源/漏延伸区；在偏移侧墙上形成间隙壁；在间隙壁及栅极结构两侧的半导体衬底内形成源/漏极。 | ||
| 地址 | 201203 上海市张江路18号 | ||