| 发明名称 | 半导体器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 提供互连的提高的迁移电阻并抑制硅扩散到互连的内部。一种半导体器件包括：硅衬底，提供在硅衬底上并由SiCN膜、SiOC膜和SiO2膜组成的第一绝缘膜，和提供在第一绝缘膜中并且基本由含铜的金属组成的第一铜互连。掺杂有注入硅的Si-O不均匀分布层包括在第一铜互连内部的表面附近，并且注入的原子硅至少部分地产生了Si-O键。 | ||
| 申请公布号 | CN101017808B | 申请公布日期 | 2010.06.16 |
| 申请号 | CN200710006793.8 | 申请日期 | 2007.02.06 |
| 申请人 | 恩益禧电子股份有限公司 | 发明人 | 宇佐美达矢;大音光市 |
| 分类号 | H01L23/532(2006.01)I;H01L21/768(2006.01)I | 主分类号 | H01L23/532(2006.01)I |
| 代理机构 | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人 | 孙志湧;陆锦华 |
| 主权项 | 一种半导体器件，包括：衬底；提供在所述衬底上的第一绝缘膜；互连，提供在所述第一绝缘膜中，并且由含铜的金属组成；在所述互连内部的所述互连表面附近中掺杂有注入的硅的区域，并且注入的原子硅至少部分地形成了硅-氧(Si-O)键；和在所述掺杂有注入的硅的区域上的第二绝缘膜。 | ||
| 地址 | 日本神奈川 | ||