非对称金属-氧化物-半导体晶体管

摘要

本发明提供了混合栅极的金属氧化物半导体晶体管。该晶体管可以具有表现出增大的输出电阻的非对称配置。每个晶体管可以由形成在半导体上的栅极绝缘层形成。栅极绝缘层可以是高K的材料。在半导体中的源极区和漏极区可以限定晶体管栅极长度。栅极长度可以比半导体制造设计规则所指定的最小值大。晶体管栅极可以由具有不同功函数的第一栅极导体和第二栅极导体形成。在给定晶体管中的第一栅极导体和第二栅极导体的相对尺寸控制晶体管的阈值电压。还可以使用计算机辅助设计工具来从用户那里接收电路设计。该工具可以产生用于特定设计的制造掩模，该设计包括具有优化的阈值电压的混合栅极晶体管以符合电路设计标准。

主权项

一种晶体管，包括：半导体；在所述半导体上的高K栅极绝缘层；形成在所述栅极绝缘层上的第一栅极导体和第二栅极导体。