肖特基二极管的制备方法

摘要

本发明公开了一种肖特基二极管的制备方法，包括以下步骤：1.形成肖特基；2.定义肖特基的接触区域；3.小于30千电子伏特的能量对接触区域硅原子进行注入；4.进行硅化物形成工艺。本发明能够降低接触电阻，提高肖特基二极管的击穿电压，防止产生漏电流。提高了器件的整体的性能，且增加产品的可靠性。

主权项

一种肖特基二极管的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：第一步，在晶圆上定义肖特基二极管区域；第二步，对肖特基二极管区域进行N掺杂阱注入；第三步，小于30千电子伏特的硅原子对肖特基二极管区域进行注入；第四步，在肖特基二极管区域进行硅化物形成工艺。