发明名称 |
原子层沉积设备 |
摘要 |
一种原子层沉积设备,其包括反应腔室、第一加热器、第一气体供应系统、第二加热器、第二气体供应系统及真空系统。真空系统连接至反应腔室。反应腔室包括预热腔室及连接至预热腔室的镀膜腔室。第一加热器用以加热预热腔室。第一气体供应系统连接至预热腔室。第二加热器用以加热镀膜腔室。第二气体供应系统连接至镀膜腔室。 |
申请公布号 |
CN101736317A |
申请公布日期 |
2010.06.16 |
申请号 |
CN200810174825.X |
申请日期 |
2008.11.05 |
申请人 |
财团法人工业技术研究院 |
发明人 |
孙文檠;钟允升;蓝崇文 |
分类号 |
C23C16/455(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I |
主分类号 |
C23C16/455(2006.01)I |
代理机构 |
北京市柳沈律师事务所 11105 |
代理人 |
彭久云 |
主权项 |
一种原子层沉积设备,包括:反应腔室,包括:预热腔室;以及镀膜腔室,连接至该预热腔室;第一加热器,用以加热该预热腔室;第一气体供应系统,连接至该预热腔室;第二加热器,用以加热该镀膜腔室;第二气体供应系统,连接至该镀膜腔室;以及真空系统,连接至该反应腔室。 |
地址 |
中国台湾新竹县 |