| 发明名称 | 钽氮化物膜的形成方法 | ||
| 摘要 | 本发明按照CVD法在成膜室内导入含有在Ta元素的周围配位了N＝(R，R′)(R及R′表示碳原子数1-6的烷基，各自可以是相同的基团，也可以是不同的基团)的配合物的原料气体、以及含有氧原子的气体，使其在基板上反应，形成TaOxNy(R，R′)z，然后导入含有H原子的气体，形成富含钽的钽氮化物膜。由此，可提供C、N含量低、Ta/N组成比高，并且作为确保和Cu膜的密合性的阻挡膜有用的低电阻钽氮化物膜。另外，对得到的膜中通过溅射打入钽粒子，使其进一步富含钽。 | ||
| 申请公布号 | CN101091001B | 申请公布日期 | 2010.06.16 |
| 申请号 | CN200680001459.7 | 申请日期 | 2006.03.03 |
| 申请人 | 株式会社爱发科 | 发明人 | 五户成史;丰田聪;牛川治宪;近藤智保;中村久三 |
| 分类号 | C23C16/34(2006.01)I;H01L21/285(2006.01)I;H01L21/3205(2006.01)I;H01L23/52(2006.01)I | 主分类号 | C23C16/34(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人 | 王健 |
| 主权项 | 钽氮化物膜的形成方法，其特征在于，按照CVD法，在成膜室内，同时导入含有在钽原子的周围配位了N＝(R，R′)的配合物的原料气体、以及含有氧原子的气体，其中该R及R′表示碳原子数1-6的烷基，各自是相同的基团或不同的基团，在基板上形成含有TaOxNy(R，R′)z化合物的氧化化合物膜，然后导入含H原子的气体，与上述氧化化合物膜反应，使该膜中的与Ta键合的O还原，且切断除去与N键合的R(R′)基，形成富含钽的钽氮化物膜。 | ||
| 地址 | 日本神奈川 | ||