用于峰值电场抑制的装置

摘要

本发明涉及一种装置(10)，该装置包括具有绝对值意义上的高电位(V1)的至少一个高电位电极(1A)，例如它包括基本上尖锐的边缘并可能暴露于高静电场或高电位。它包括至少一个低电位电极部件(2A1，2A2)或平衡电极部件，所述低或平衡电位电极部件设置成离开所述至少一个高电位电极(1A)某一距离。并且至少一个电阻配置(3A1，3A2)连接所述高电位电极(1A)中的每一高电位电极与各相邻的低电平或平衡电位电极部件(2A1，2A2)。所述电阻配置(3A1，3A2)具有低传导性但是并不绝缘，使得在所述高电位电极(1A)和所述低或平衡电位电极(2A1，2A2)之间能够提供基本线性的电压降，以抑制产生于任一电极(1A)附近的峰值电场。

主权项

一种用于峰值电场抑制的装置(10；20；30；40；50；60；70；80；90)，包括具有就绝对值而言的高电位的至少一个高电位电极(1A；1B；1C1，1C2；1D1，1D2；1E1，1E1；1F1，1F2；1G1；1H；1K1，1K2)，它适于被有意地设于高电位或无意地暴露于高静电场或高电位中，其特征在于，它包括至少一个低电位电极部件(2A；2B1，2B2；2C；2D1，2D2；2E1，2E2，2E3；2F；2H1-2H4；2K1，2K2)或平衡电位电极部件(1G)，所述低电位电极部件或平衡电位电极部件设置成离开所述至少一个高电位电极某一距离或设置在其附近，且至少部分地围绕着所述至少一个高电位电极，它还包括至少一个电阻配置(3A；3B1，3B2；3C；3D1，3D2，3D3；3E；3F；3G；3H；3K1，3K2)，将所述高电位电极中的各电极与各相邻的低电位或平衡电位电极部件(2A；2B1，2B2；2C；2D1，2D2；2E1，2E2，2E3；2F；2H1-2H4；2K1，2K2；1G2)连接起来，所述电阻配置(3A；3B1；3B2；3C；3D1，3D2，3D3；3E；3F；3G；3H；3K1；3K2)具有低导电率但并非绝缘，以能够在所述高电位电极(1A；1B；1C1，1C2；1D1，1D2；1E1，1E2；1F1，1F2；1G1；1H；1K1，1K2)和所述低电位或平衡电位电极(2A；2B1，2B2；2C；2D1，2D2；2E1，2E2，2E3；2F；2H1-2H4；2K1，2K2；1G2)之间实现线性的电位变化，以抑制产生于所述高电位电极、低电位或平衡电位电极(1A；1B；1C1，1C2；1D1，1D2；1E1，1E2；1F1，1F2；1G1；1H；1K1，1K2；2A；2B1，2B2；2C；2D1，2D2；2E1，2E2，2E3；2F；2H1-2H4；2K1，2K2；1G2)中任意一个附近的峰值电场。