发明名称 |
电容器及制造电容器的方法 |
摘要 |
本发明系提供一种半导体装置,其系具有由一高K电介质及一对在该电介质两侧之相互连接所形成之电容,本发明亦提供一种制造此种半导体装置之方法。该相互连接包含一通孔及一金属层。 |
申请公布号 |
CN1751367B |
申请公布日期 |
2010.06.16 |
申请号 |
CN200480004600.X |
申请日期 |
2004.02.17 |
申请人 |
因芬尼昂技术股份公司 |
发明人 |
H·-J·巴斯;P·菲斯纳;E·卡塔里奥鲁;U·科斯特;T·沙夫鲍尔 |
分类号 |
H01G4/06(2006.01)I;H01G4/40(2006.01)I;H01L21/77(2006.01)I |
主分类号 |
H01G4/06(2006.01)I |
代理机构 |
中国专利代理(香港)有限公司 72001 |
代理人 |
吴立明;王忠忠 |
主权项 |
一种电容器,其包含:一第一电极,其系形成于一半导体衬底内,该第一电极包含一第一通孔及一连接于该第一通孔之金属层,该第一通孔及连接于该第一通孔的金属层具有相同的第一轮廓,且该第一通孔是配置在连接于该第一通孔的金属层的下方,该第一电极系电连接于该半导体衬底之一第一区域;一第二电极,其系形成于该半导体衬底内,该第二电极包含一第二通孔及一连接于该第二通孔之金属层,该第二通孔及连接于该第二通孔的金属层具有相同的第二轮廓,且该第二通孔是配置在连接于该第二通孔的金属层的下方,该第二电极系电连接于该半导体衬底之一第二区域;以及一高K电介质,其系置于该第一电极和该第二电极之间;以及一层间介电物质,其中该第一电极和该第二电极系形成于该层间介电物质内,该层间介电物质具有低于3.9之一介电常数。 |
地址 |
德国慕尼黑 |