发明名称 有机铁电体或永电体存储电路及其制造方法
摘要 在有机电子电路(C)中,具体地说是具有有机铁电体或永电体材料(2)的存储电路,活性材料包括氟原子并由各种有机材料组成。活性材料位于第一电极和第二电极之间。具有类似电容器结构的单元定义在活性材料中,并可通过第一和第二电极被访问进行寻址操作。这些电极(1a,1b)中的至少一个包括化学修改的金层。在无源矩阵可寻址电子器件中,具体地说是铁电体或永电体存储器件,此类具有活性材料作为铁电体或永电体存储材料的电路(C)形成矩阵可寻址阵列的元素,并定义设置在第一和第二组寻址电极之间的存储单元。至少一组电极然后包括至少一个金层。一种制造有机电子电路(C)的方法,该方法包括如下步骤:沉积一个金层作为至少一个电极的至少一层,并化学处理这层的暴露表面,之后活性材料层可沉积在此电极加工过的表面顶上。
申请公布号 CN101023493B 申请公布日期 2010.06.16
申请号 CN200580031320.2 申请日期 2005.07.18
申请人 薄膜电子有限公司 发明人 R·利尔杰达尔;M·桑德伯格;G·古斯塔夫森;H·G·古德森
分类号 G11C11/22(2006.01)I;H01L49/02(2006.01)I 主分类号 G11C11/22(2006.01)I
代理机构 中国专利代理(香港)有限公司 72001 代理人 曾祥夌;陈景峻
主权项 一种有机电子电路(C),具体地说是存储电路,具有有机铁电体或永电体活性材料(2),其中所述活性材料包括氟原子,并由单分子、齐聚物、同聚物、共聚物、或它们的混合物或化合物组成,其中所述活性材料与第一电极(1a)和第二电极(1b)接触,由此具有类似电容器结构的单元界定在所述有机活性材料中,并能通过所述电极(1a,1b)被直接或间接电访问,其特征在于:至少一个所述电极(1a,1b)包括由碘化学改良的至少一个金层,所述碘至少设置在对接所述有机活性材料的金层表面中或上。
地址 挪威奥斯陆