| 发明名称 | 多晶硅电阻及其制作方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种多晶硅电阻，包括双层多晶硅，两层多晶硅上下分布，两层多晶硅之间设有绝缘层；两层多晶硅之间通过接触孔与第一层金属线相连。所述绝缘层是氧化硅、氮化硅或氧化硅与氮化硅的结合。本发明利用双层多晶硅将一个平面的多晶硅电阻变成上下双层的立体结构，上下两层多晶硅之间利用一层绝缘层进行隔离，并且上下两层的多晶硅通过接触孔与第一层金属线相连，这样大约能够缩减50％的芯片占用面积，大大节省了成本，在制作大的多晶硅电阻时，这样的结构更具优势。本发明还公开了该多晶硅电阻的制作方法。 | ||
| 申请公布号 | CN101740639A | 申请公布日期 | 2010.06.16 |
| 申请号 | CN200810043985.0 | 申请日期 | 2008.11.24 |
| 申请人 | 上海华虹NEC电子有限公司 | 发明人 | 陈华伦;熊涛;陈瑜;陈雄斌;罗啸 |
| 分类号 | H01L29/86(2006.01)I;H01L27/02(2006.01)I;H01L21/02(2006.01)I;H01L21/8238(2006.01)I;H01L21/768(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/86(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人 | 丁纪铁 |
| 主权项 | 一种多晶硅电阻，其特征在于：包括双层多晶硅，所述两层多晶硅上下分布，两层多晶硅之间设有绝缘层；两层多晶硅之间通过接触孔与第一层金属线相连。 | ||
| 地址 | 201206 上海市浦东新区川桥路1188号 | ||