发明名称 |
陶瓷封装的片式石英晶体频率器件 |
摘要 |
本实用新型涉及一种陶瓷封装的片式石英晶体频率器件。该频率器件包括上、下盖板和晶片,晶片位于下盖板凹坑中,下盖板凹坑长度、宽度大于晶片长度、宽度,下盖板凹坑深度大于晶片厚度;该频率器件还包括内电极、外电极。本实用新型不仅结构简单、尺寸小、气密性好,而且可靠;制造频率器件方法不仅简单,而且制造成本低、效率高。 |
申请公布号 |
CN201509184U |
申请公布日期 |
2010.06.16 |
申请号 |
CN200920152931.8 |
申请日期 |
2009.05.20 |
申请人 |
上海晶赛电子有限公司 |
发明人 |
姚一滨 |
分类号 |
H03H9/19(2006.01)I;H03H9/02(2006.01)I |
主分类号 |
H03H9/19(2006.01)I |
代理机构 |
上海天协和诚知识产权代理事务所 31216 |
代理人 |
张恒康 |
主权项 |
一种陶瓷封装的片式石英晶体频率器件,包括上盖板、下盖板和晶片,在下盖板的内侧开有下盖板凹坑,晶片以导电胶固定位于下盖板凹坑中,其特征在于该频率器件的空腔由上盖板、下盖板凹坑组成,下盖板凹坑的长度和宽度大于晶片的长度和宽度,下盖板凹坑的深度大于晶片厚度;同时该频率器件还包括内电极和外电极,外电极位于下盖板外侧面上,内电极位于下盖板内侧面的凹坑两侧。 |
地址 |
201800 上海市嘉定区嘉行公路1301号 |