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发明名称 METHOD OF FORMING THIN SGOI WAFERS WITH HIGH RELAXATION AND LOW STACKING FAULT DEFECT DENSITY
摘要
申请公布号 EP1709671(A4) 申请公布日期 2010.06.16
申请号 EP20040703076 申请日期 2004.01.16
申请人 INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION 发明人 CHEN, HUAJIE;BEDELL, STEPHEN, W.;SADANA, DEVENDRA, K.;MOCUTA, DAN, M.
分类号 H01L21/331;H01L21/20;H01L21/205;H01L21/316;H01L21/762;H01L21/84;H01L29/10;H01L29/786 主分类号 H01L21/331
代理机构 代理人
主权项
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