| 发明名称 | 一种检测外延缺陷的方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种检测外延缺陷的方法，包括以下步骤：在衬底上淀积氧化层；刻蚀部分所述氧化层，使得部分所述衬底暴露；生长第一外延层；刻蚀所述氧化层上的所述第一外延层以及所述氧化层；生长第二外延层，所述第二外延层的外延材料和所述衬底的材料相同；分别获得所述第一外延层和所述衬底上的所述第二外延层的缺陷数，并求得它们之间差的绝对值，作为所述第一外延层在所述衬底表面生长的缺陷数。本发明提供的方法能够定性的检测出多种半导体材料的外延缺陷，不但检测准确，而且方便使用，可操作性强。 | ||
| 申请公布号 | CN101740433A | 申请公布日期 | 2010.06.16 |
| 申请号 | CN200910201353.7 | 申请日期 | 2009.12.17 |
| 申请人 | 上海集成电路研发中心有限公司 | 发明人 | 傅文彪;赵宇航 |
| 分类号 | H01L21/66(2006.01)I;H01L21/20(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/66(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人 | 郑玮 |
| 主权项 | 一种检测外延缺陷的方法，其特征在于所述方法包括以下步骤：在衬底上淀积氧化层；刻蚀部分所述氧化层，使得部分所述衬底暴露；生长第一外延层；刻蚀所述氧化层上的所述第一外延层以及所述氧化层；生长第二外延层，所述第二外延层的外延材料和所述衬底的材料相同；分别获得所述第一外延层上的第二外延层部分和所述衬底上的第二外延层部分的单位体积内的缺陷数，并求得它们之间差的绝对值，作为所述第一外延层在所述衬底表面生长的单位体积内的缺陷数。 | ||
| 地址 | 201210 上海市张江高科技园区高斯路497 | ||