制造图像传感器的方法

摘要

本发明公开一种制造图像传感器的方法和一种图像传感器。制造图像传感器的方法可以包括：在半导体衬底上面和/或上方形成包括金属线的层间电介质；在层间电介质上面和/或上方形成图像感测部；和/或在图像感测部上面和/或上方形成硬掩模，该硬掩模中可以限定对应于金属线的开口。制造图像传感器的方法可以包括：执行蚀刻工艺以形成暴露图像感测部内部的辅助通孔，和/或通过硬掩模的蚀刻副产品在辅助通孔内部形成间隔件。制造图像传感器的方法可以包括：执行包括化学制品的蚀刻工艺以移除间隔件，和/或蚀刻图像感测部和/或层间电介质以形成深通孔。

主权项

一种方法，包括如下步骤：在半导体衬底上方形成包括金属线的层间电介质；在所述层间电介质上方形成包括第一掺杂层和第二掺杂层的图像感测部；在所述图像感测部上方形成硬掩模，该硬掩模包括对应于所述金属线的开口；使用所述硬掩模作为蚀刻掩模执行蚀刻工艺，以形成暴露所述图像感测部内部的辅助通孔，其中当形成所述辅助通孔时，在包括蚀刻副产品的所述辅助通孔内形成间隔件；执行包括化学制品的蚀刻工艺以实质上移除所述间隔件；以及蚀刻布置在所述辅助通孔的下部的所述图像感测部以及所述层间电介质，以形成暴露所述金属线的至少一部分的深通孔。