发明名称 |
集成电路结构及其形成方法 |
摘要 |
本发明提供一种集成电路结构及其形成方法,该方法即堆叠式晶片的制造方法。在一实施例中,该方法包括如下步骤:提供一晶片,具有一芯片侧与一非芯片侧,该芯片侧包括多个半导体芯片;提供多个裸片,粘合每一所述多个裸片至所述多个半导体芯片其中之一;以一保护材料包覆该晶片的该芯片侧与所述多个裸片;薄化该晶片的该非芯片侧至一预期厚度;以及切割该晶片,以使该晶片分离成各自的半导体封装结构。本发明可避免传统晶片粘合工艺的缺点。 |
申请公布号 |
CN101740415A |
申请公布日期 |
2010.06.16 |
申请号 |
CN200910178298.4 |
申请日期 |
2009.10.09 |
申请人 |
台湾积体电路制造股份有限公司 |
发明人 |
杨固峰;邱文智;吴文进;涂宏荣 |
分类号 |
H01L21/50(2006.01)I;H01L21/56(2006.01)I;H01L21/78(2006.01)I;H01L25/00(2006.01)I;H01L23/29(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/50(2006.01)I |
代理机构 |
隆天国际知识产权代理有限公司 72003 |
代理人 |
姜燕;陈晨 |
主权项 |
一种集成电路结构的形成方法,包括如下步骤:提供一晶片,具有一芯片侧与一非芯片侧,该芯片侧包括多个半导体芯片;提供多个裸片,粘合每一所述多个裸片至所述多个半导体芯片其中之一;以一保护材料包覆该晶片的该芯片侧与所述多个裸片;薄化该晶片的该非芯片侧至一预期厚度;以及切割该晶片,以使该晶片分离成各自的半导体封装结构。 |
地址 |
中国台湾新竹市 |