发明名称 集成电路结构及其形成方法
摘要 本发明提供一种集成电路结构及其形成方法,该方法即堆叠式晶片的制造方法。在一实施例中,该方法包括如下步骤:提供一晶片,具有一芯片侧与一非芯片侧,该芯片侧包括多个半导体芯片;提供多个裸片,粘合每一所述多个裸片至所述多个半导体芯片其中之一;以一保护材料包覆该晶片的该芯片侧与所述多个裸片;薄化该晶片的该非芯片侧至一预期厚度;以及切割该晶片,以使该晶片分离成各自的半导体封装结构。本发明可避免传统晶片粘合工艺的缺点。
申请公布号 CN101740415A 申请公布日期 2010.06.16
申请号 CN200910178298.4 申请日期 2009.10.09
申请人 台湾积体电路制造股份有限公司 发明人 杨固峰;邱文智;吴文进;涂宏荣
分类号 H01L21/50(2006.01)I;H01L21/56(2006.01)I;H01L21/78(2006.01)I;H01L25/00(2006.01)I;H01L23/29(2006.01)I 主分类号 H01L21/50(2006.01)I
代理机构 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 代理人 姜燕;陈晨
主权项 一种集成电路结构的形成方法,包括如下步骤:提供一晶片,具有一芯片侧与一非芯片侧,该芯片侧包括多个半导体芯片;提供多个裸片,粘合每一所述多个裸片至所述多个半导体芯片其中之一;以一保护材料包覆该晶片的该芯片侧与所述多个裸片;薄化该晶片的该非芯片侧至一预期厚度;以及切割该晶片,以使该晶片分离成各自的半导体封装结构。
地址 中国台湾新竹市