| 发明名称 | 在结处具有绝缘层的场效应晶体管结构 | ||
| 摘要 | 一种制造FET的方法，其包括形成栅极结构(18)，然后，在每侧上刻蚀空腔。然后，在空腔中的衬底(10)上沉积SiGe层(22)，随后沉积Si层(24)。然后，执行选择性刻蚀以刻蚀掉除了栅极结构(18)下的SiGe层部分以外的SiGe(22)，以及生长氧化物(28)以填充产生的空隙。然后，在空腔中沉积SiGe源极和漏极。氧化物(28)能降低结漏电流。 | ||
| 申请公布号 | CN101326621B | 申请公布日期 | 2010.06.16 |
| 申请号 | CN200680046460.1 | 申请日期 | 2006.12.07 |
| 申请人 | NXP股份有限公司 | 发明人 | 吉尔贝托·A·库拉托拉;塞巴斯蒂安·努汀克 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L29/165(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人 | 陈源;张天舒 |
| 主权项 | 一种制造半导体晶体管的方法，其包括：在硅半导体衬底(10)的第一主表面(12)上形成栅极氧化层(14)；在所述栅极氧化层(14)上形成栅极(16)；在深延伸区(20)的栅极(16)的两侧上刻蚀源极和漏极空腔进入所述半导体衬底(10)的第一主表面(12)；在所述深延伸区(20)的壁上生长SiGe层(22)；在所述SiGe层(22)上生长硅层(24)；选择性地刻蚀所述SiGe层(22)，以去除S iGe层的大部分长度，适当地保留与所述栅极氧化层(14)邻接的那部分S iGe层(22)，所述SiGe层的剩余部分形成空腔(26)；用绝缘物(28)填充所述空腔(26)；以及在所述栅极(16)的相对侧上的深延伸区(20)的源极和漏极空腔中生长源极(30)和漏极(32)层。 | ||
| 地址 | 荷兰艾恩德霍芬 | ||