| 发明名称 | 等离子体处理过程中减小电弧的方法和装置 | ||
| 摘要 | 在第一方面中，提供了一种在等离子体处理过程中使用的方法。第一方法包括下述步骤：(1)将基板放置在等离子体室的基板固定器上；(2)在基板周边以下并且邻近基板周边处定位盖框架；和(3)使用盖框架减小等离子体室内的等离子体处理过程中的电弧。提供了多个其它的方面。 | ||
| 申请公布号 | CN1754978B | 申请公布日期 | 2010.06.16 |
| 申请号 | CN200510083762.3 | 申请日期 | 2005.06.01 |
| 申请人 | 应用材料股份有限公司 | 发明人 | 侯力;王群华;E·萨姆;J·M·怀特 |
| 分类号 | C23C14/22(2006.01)I;H01L21/203(2006.01)I | 主分类号 | C23C14/22(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人 | 顾峻峰 |
| 主权项 | 一种在等离子体处理过程中使用的方法，包括：将基板水平放置在等离子体室的基板固定器上；定位盖框架，与基板的下表面接触并接触且覆盖基板固定器的一部分，其中该基板固定器上被覆盖的部分同时位于基板上与该盖框架接触的部分的下方以及位于与基板周边横向邻接且位于外侧的区域的下方；定位屏蔽框架，位于盖框架上没有被基板所覆盖的部分的上方，其中该屏蔽框架不与基板接触且在该屏蔽框架与基板周边之间存在横向的间隙；在保持盖框架中性电位的情况下在该基板上执行等离子处理过程，该盖框架放置用于防止等离子接触所述基板固定器，避免引起电弧。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚州 | ||