| 发明名称 | 等离子体气相沉积方法 | ||
| 摘要 | 一种等离子体气相沉积方法，包括：确定沉积层的厚度，所述沉积层包含至少两层沉积分层，各所述沉积分层的厚度之和等于所述沉积层的厚度；提供基底、缓冲区和至少一个反应腔室，所述基底经由所述缓冲区进入任一所述反应腔室，以在所述基底上形成各所述沉积分层，各所述反应腔室内承载所述基底的承载台分别具有标准温度；形成每一所述沉积分层后，所述基底置于所述缓冲区内，所述缓冲区内的温度低于所述标准温度。可在控制温度恒定以提高所述金属层接触电阻的均匀性的前提下，提高生产效率。 | ||
| 申请公布号 | CN101736307A | 申请公布日期 | 2010.06.16 |
| 申请号 | CN200810227177.X | 申请日期 | 2008.11.24 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 | 发明人 | 聂佳相;康芸;杨瑞鹏 |
| 分类号 | C23C14/48(2006.01)I;C23C16/513(2006.01)I | 主分类号 | C23C14/48(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 李丽 |
| 主权项 | 一种等离子体气相沉积方法，其特征在于，包括：确定沉积层的厚度，所述沉积层包含至少两层沉积分层，各所述沉积分层的厚度之和等于所述沉积层的厚度；提供基底、缓冲区和至少一个反应腔室，所述基底经由所述缓冲区进入任一所述反应腔室，以在所述基底上形成各所述沉积分层，各所述反应腔室内承载所述基底的承载台分别具有标准温度；形成每一所述沉积分层后，所述基底置于所述缓冲区内，所述缓冲区内的温度低于所述标准温度。 | ||
| 地址 | 100176 北京市经济技术开发区文昌大道18号 | ||