| 发明名称 | MOS晶体管多尺寸器件的工艺偏差模型的建立方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种MOS晶体管多尺寸器件的工艺偏差模型的建立方法，采用以下步骤建立工艺偏差模型：第一步，选取TOXE、LINT、WINT、VTHO、LPEO、K3、PVTHO和VSAT作为工艺偏差模型参数；第二步，调整工艺偏差模型参数。本发明建立的MOS晶体管多尺寸器件的工艺偏差模型，采用全局模型，又可以覆盖多个尺寸器件，能够完整地反映MOS晶体管多个尺寸器件的工艺偏差指标。 | ||
| 申请公布号 | CN101739470A | 申请公布日期 | 2010.06.16 |
| 申请号 | CN200810043918.9 | 申请日期 | 2008.11.11 |
| 申请人 | 上海华虹NEC电子有限公司 | 发明人 | 周天舒;武洁 |
| 分类号 | G06F17/50(2006.01)I | 主分类号 | G06F17/50(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人 | 丁纪铁 |
| 主权项 | 一种MOS晶体管多尺寸器件的工艺偏差模型的建立方法，其特征在于：采用以下步骤建立工艺偏差模型：第一步，选取工艺偏差模型参数；第二步，调整工艺偏差模型参数。 | ||
| 地址 | 201206 上海市浦东新区川桥路1188号 | ||