发明名称 |
内置导电体的陶瓷构件及其制造方法 |
摘要 |
本发明提供内置导电体的陶瓷基材,在陶瓷基材中内置有高熔点金属电极层的以往陶瓷基座,在内置电极层与Ni电极棒的接合部容易发生断裂、损坏等。若折损、剥离、断裂便无法修复,即使是昂贵的基座也常报废。本发明的陶瓷基材,用含有B的Si合金层填埋陶瓷基材中的高熔点金属导电体的电极端子接合部露出面与电极端子以及陶瓷基材之间的间隙,来解决以往结构的耐氧化性、气密性,断裂,折损问题。还用含有2%以上的Mn的Si合金层填埋电极端子接合部露出面与电极端子以及陶瓷基材之间的间隙来解决上述问题。还在导电体露出面上形成渗碳处理层或渗硼处理层,用Si合金层填埋电极端子接合部露出面与电极端子以及陶瓷基材之间的间隙来解决上述问题。 |
申请公布号 |
CN101740183A |
申请公布日期 |
2010.06.16 |
申请号 |
CN200910179080.0 |
申请日期 |
2009.10.12 |
申请人 |
黑崎播磨株式会社 |
发明人 |
宫田征一郎 |
分类号 |
H01B17/60(2006.01)I;H01B19/00(2006.01)I;H05B3/03(2006.01)I;H01L21/683(2006.01)I |
主分类号 |
H01B17/60(2006.01)I |
代理机构 |
北京集佳知识产权代理有限公司 11227 |
代理人 |
蒋亭;苗堃 |
主权项 |
一种内置导电体的陶瓷构件,所述导电体是与陶瓷基材同时烧成的由高熔点金属构成的导电体,所述陶瓷构件的特征在于,在该导电体的电极端子接合部露出面上,熔合Si合金层而成。 |
地址 |
日本福冈县 |