半导体器件及形成其栅极的方法

摘要

一种形成半导体器件的栅极的方法，包括：提供一种半导体衬底，其中有源区由隔离膜所限定；在所述有源区上形成栅极绝缘膜；在该栅极绝缘膜上形成帽化层膜；以及在所述形成的表面上进行退火过程，然后在所述有源区的一部分上形成栅极。帽化层膜在栅极绝缘膜上形成，以防止栅极绝缘膜与后继栅极材料之间的反应，从而防止栅极功函数变化的现象并防止具有低介电常数的栅极绝缘体的产生。所述退火过程在氟气环境下进行以防止出现栅极绝缘膜中的陷阱位置，而该栅极可以是由金属组成的或完全由硅化物组成的栅极，从而降低EOT。

主权项

一种形成半导体器件的栅极的方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底具有由形成在其中隔离膜限定的有源区；然后在所述有源区上形成栅极绝缘膜；然后在所述栅极绝缘膜上形成帽化层膜；然后在所述具有帽化层膜和所述栅极绝缘膜的所述半导体衬底上进行退火过程；然后在所述有源区的帽化层膜上形成所述栅极，其中，所述退火过程使用氟气和包含氟气的混合气体中的至少一种来进行。