一种用于厚铝制程的金属熔丝电阻减薄工艺

摘要

本发明涉及一种用于厚铝制程的金属熔丝电阻减薄工艺。所述工艺包括步骤一、通过注入和推结在硅片内形成阱区；步骤二、在硅片表面生长一层热氧化的二氧化硅层；步骤三、在二氧化硅层上通过淀积、光刻腐蚀得到多晶硅层；步骤四、在多晶硅层上形成二氧化硅连接层；步骤五、在二氧化硅连接层通过淀积、光刻腐蚀得到铝层；步骤六、在二氧化硅连接层及铝层的表面淀积PAD层；步骤七、通过光刻，对PAD层定义腐蚀窗口，并进行腐蚀；步骤八、通过光刻，定义腐蚀减薄窗口，利用金属减薄腐蚀工艺对铝层进行腐蚀减薄。本发明通过多晶硅层对下部的二氧化硅包围层的阻挡保护，满足了二氧化硅包围层作为场区热氧化层的厚度要求，保证了电路的可靠性。

主权项

一种用于厚铝制程的金属熔丝电阻减薄工艺，其特征是：所述金属熔丝电阻减薄工艺包括如下步骤：步骤一、通过注入和推结在硅片(a)内形成阱区(b)；步骤二、在硅片(a)表面生长一层热氧化的二氧化硅层(c)；步骤三、在二氧化硅层(c)上淀积多晶硅，通过光刻腐蚀得到多晶硅层(d)；步骤四、在多晶硅层(d)上淀积第一二氧化硅介质层，所述第一二氧化硅介质层与二氧化硅层(c)相连接，并对多晶硅层(d)形成包围；所述二氧化硅层(c)与第一二氧化硅介质层形成二氧化硅连接层(g)；步骤五、在二氧化硅连接层(g)上淀积厚铝，通过光刻腐蚀得到铝层(f)，所述铝层(f)的厚度为1200nm～1800nm；步骤六、在二氧化硅连接层(g)及铝层(f)的表面淀积PAD层，所述PAD层对铝层(f)形成包围；步骤七、通过光刻，对PAD层定义腐蚀窗口，并对定义的PAD腐蚀窗口进行腐蚀，使PAD层包围的铝层(f)曝露；步骤八、通过光刻，对铝层(f)单独定义腐蚀减薄窗口，利用金属减薄腐蚀工艺对铝层(f)进行腐蚀减薄，得到厚度减薄的铝层(f)。