发明名称 一种制作基于微光机电系统的波长可调谐滤波器的方法
摘要 本发明公开了一种制作基于微光机电系统的波长可调谐滤波器的方法,该方法包括:用分子束外延方法生长用于制作滤波器的外延片;对该外延片进行清洗,并对该外延片进行第一次光刻,光刻出单悬臂图形;采用电感耦合等离子体刻蚀方法对该具有单悬臂图形的外延片进行干法刻蚀,刻蚀出垂直台面;对该刻蚀出垂直台面的外延片进行第二次光刻,光刻出P、N两个电极图案,然后反型,淀积共面电极,并金属剥离,形成电极;对该外延片进行选择性腐蚀,腐蚀出具有空气隙的单悬臂结构;停止反应,对该单悬臂结构进行保护。利用本发明,制作出了波长可调谐的滤波器。
申请公布号 CN101738722A 申请公布日期 2010.06.16
申请号 CN200810225784.2 申请日期 2008.11.12
申请人 中国科学院半导体研究所 发明人 秦龙;韩勤;杨晓红;朱彬;鞠研玲;李文兵
分类号 G02B26/08(2006.01)I;G03F7/00(2006.01)I;B81C1/00(2006.01)I 主分类号 G02B26/08(2006.01)I
代理机构 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人 周国城
主权项 一种制作基于微光机电系统的波长可调谐滤波器的方法,该可调谐滤波器从上自下依次由可移动的上反射镜、AlAs牺牲层、固定的下反射镜和衬底构成,其特征在于,该方法包括:用分子束外延方法生长用于制作滤波器的外延片;对该外延片进行清洗,并对该外延片进行第一次光刻,光刻出单悬臂图形;采用电感耦合等离子体刻蚀方法对该具有单悬臂图形的外延片进行干法刻蚀,刻蚀出垂直台面;对该刻蚀出垂直台面的外延片进行第二次光刻,光刻出P、N两个电极图案,然后反型,淀积共面电极,并金属剥离,形成电极;对该外延片进行选择性腐蚀,腐蚀出具有空气隙的单悬臂结构;停止反应,对该单悬臂结构进行保护。
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