一种纳米晶/非晶硅两相薄膜太阳电池的制备方法

摘要

本发明公开了一种纳米晶/非晶硅两相薄膜太阳电池的制备方法，包括对玻璃表面进行清洗；利用PECVD沉积SiN薄膜；在电池的正面沉积一层ITO透明导电薄膜，在ITO/玻璃衬底上制备氢化纳米晶/非晶硅两相薄膜；利用B离子注入能量在200～250keV、剂量在1×1017～4×1017/cm2，形成P型层；利用P离子注入能量在15～30keV，剂量在2×1017～5×1017/cm2，形成N型层。本发明避免了有毒气体磷烷和硼烷的使用，B、P的掺杂激活率高；降低p和n层中的杂质俘获中心，提高电子和空穴的收集效率，降低接触电阻，提高短路电流。

主权项

一种纳米晶/非晶硅两相薄膜太阳电池的制备方法，其特征是包括如下步骤：(1)衬底清洗：选用玻璃衬底，利用氨水/双氧水/去离子水＝1∶1∶5对玻璃表面进行清洗，再用去离子水清洗，氮气吹干；(2)减反膜SiN的制备：利用PECVD沉积SiN薄膜；(3)正面电极的形成：用射频溅射工艺在电池的正面沉积一层ITO透明导电薄膜，(4)在ITO/玻璃衬底上利用PECVD制备氢化纳米晶/非晶硅两相薄膜；(5)利用B离子注入：B离子注入能量在200～250keV、剂量在1×1017～4×1017/cm2，形成P型层；(6)利用P离子注入：P离子注入能量在15～30keV，剂量在2×1017～5×1017/cm2，形成N型层；(7)利用快速退火炉在氮气保护下退火激活掺杂离子；(8)利用电子束蒸发的方法沉积铝背电极；(9)利用快速退火炉在氮气保护下退火。