高电压半导体器件及其制造方法

摘要

本发明提供了一种高电压半导体器件及其制造方法。高电压半导体器件包括：半导体衬底；第一高电压N型阱，形成在半导体衬底上；第一高电压P型阱，形成在第一高电压N型阱的内部；第二高电压N型阱，在第一高电压N型阱的内部形成为包围第一高电压P型阱；栅极介电层和栅电极，堆叠形成在第一高电压P型阱的上部上；以及第一N型高浓度杂质区域，在第一高电压P型阱中形成在栅电极的两侧上，其中，基于形成有第一高电压P型阱的部分，第一高电压N型阱的上部区域的浓度低于其下部区域的浓度。因此，本发明可以施加大偏压，简化处理，改进在形成在低浓度深N型阱内部的P型阱中的击穿电压，减小高浓度N型杂质区域的范围，以及降低阻抗。

主权项

一种高电压半导体器件，包括：半导体衬底；第一高电压N型阱，形成在所述半导体衬底中；第一高电压P型阱，形成在所述第一高电压N型阱中；第二高电压N型阱，形成在所述第一高电压N型阱中并包围所述第一高电压P型阱；栅极介电层和栅电极，堆叠形成在所述第一高电压P型阱上；以及第一N型高浓度杂质区域，在所述第一高电压P型阱中形成在所述栅电极的两侧，其中，基于形成有所述第一高电压P型阱的部分，所述第一高电压N型阱的上部区域的浓度低于所述第一高电压N型阱的下部区域的浓度。