| 发明名称 | 一种晶体硅太阳能电池选择性发射区的制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种晶体硅太阳能电池选择性发射区的制备方法，包括如下步骤：(1)在晶体硅片的表层生长一层二氧化硅；(2)在生长的二氧化硅层上涂印遮掩膜，形成电极窗口框架；(3)去除电极窗口处的氧化层，即去除未被遮掩膜覆盖的二氧化硅层；(4)去除遮掩膜；(5)进行高浓度扩散掺杂；(6)进行氧化层清洗，即将原先受遮掩膜覆盖的二氧化硅层进行去除；(7)进行低浓度扩散掺杂。本发明制备工艺简单、成本低、无污染、电池平均转换效率达18.5％。 | ||
| 申请公布号 | CN101740661A | 申请公布日期 | 2010.06.16 |
| 申请号 | CN200910157193.0 | 申请日期 | 2009.12.24 |
| 申请人 | 浙江向日葵光能科技股份有限公司 | 发明人 | 周晓兵;赵明;陈国其;楼佳伟 |
| 分类号 | H01L31/18(2006.01)I | 主分类号 | H01L31/18(2006.01)I |
| 代理机构 | 绍兴市越兴专利事务所 33220 | 代理人 | 张谦 |
| 主权项 | 一种晶体硅太阳能电池选择性发射区的制备方法，其特征在于包括如下步骤：(1)在晶体硅片的表层生长一层二氧化硅；(2)在生长的二氧化硅层上涂印遮掩膜，形成电极窗口框架；(3)去除电极窗口处的氧化层，即去除未被遮掩膜覆盖的二氧化硅层；(4)去除遮掩膜；(5)进行高浓度扩散掺杂；(6)进行氧化层清洗，即将原先受遮掩膜覆盖的二氧化硅层进行去除；(7)进行低浓度扩散掺杂。 | ||
| 地址 | 312071 浙江省绍兴市袍江工业区三江路 | ||