| 发明名称 | 半导体器件中的金属线路及其形成方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种半导体器件中的金属线路及其形成方法。所述方法包括以下步骤：在半导体衬底上形成缓冲下金属线路，用于吸收外部冲击；形成覆盖缓冲下金属线路的前金属电介质，所述前金属电介质中形成有通孔以暴露所述缓冲下金属线路的一部分；在其中形成有所述通孔的前金属电介质的表面上形成籽晶层；形成聚酰亚胺，聚酰亚胺暴露所述通孔和所述通孔附近的前金属电介质上形成的籽晶层；使用如此暴露的籽晶层来生长上金属线路；对上面形成有所述上金属线路的半导体衬底进行热处理；通过干蚀刻去除聚酰亚胺；将一接合部接合到所述上金属线路上。 | ||
| 申请公布号 | CN101740489A | 申请公布日期 | 2010.06.16 |
| 申请号 | CN200910222014.7 | 申请日期 | 2009.11.13 |
| 申请人 | 东部高科股份有限公司 | 发明人 | 金珉硕 |
| 分类号 | H01L21/768(2006.01)I;H01L23/528(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/768(2006.01)I |
| 代理机构 | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人 | 姜燕;陈晨 |
| 主权项 | 一种形成半导体器件中的金属线路的方法，包括以下步骤：在半导体衬底上形成缓冲下金属线路，用于吸收外部冲击；形成覆盖所述缓冲下金属线路的前金属电介质，所述前金属电介质中形成有通孔以暴露所述缓冲下金属线路的一部分；在其中形成有所述通孔的所述前金属电介质的表面上形成籽晶层；形成聚酰亚胺，所述聚酰亚胺暴露所述通孔和所述通孔附近的所述前金属电介质上形成的籽晶层；使用如此暴露的籽晶层来生长上金属线路；对上面形成有所述上金属线路的半导体衬底进行热处理；通过干蚀刻去除所述聚酰亚胺；以及将一接合部接合到所述上金属线路上。 | ||
| 地址 | 韩国首尔 | ||