非易失性存储设备、存储卡和系统、及确定读电压的方法

摘要

本发明公开了一种非易失性半导体存储设备以及确定读电压的相关方法。非易失性半导体存储设备包括：存储单元阵列，包含多个存储单元；读电压确定单元，被配置为通过比较在编程操作期间所获得的参考电压和在后续读操作期间所获得的比较数据，并且基于比较结果将当前读电压改变为新的读电压，来确定最优读电压；以及读电压产生单元，被配置为响应由读电压确定单元所提供的读电压控制信号产生新的读电压。

主权项

一种确定非易失性半导体存储设备中读电压的方法，所述方法包括：利用当前读电压从多个存储单元中获得读数据；从所述读数据中提取比较数据，把比较数据和参考数据进行比较，并产生比较结果；根据比较结果确定当前读电压是否是最优读电压；如果当前读电压不是最优电压，则根据与比较结果对应的差值将当前读电压改变为新的读电压，并且利用所述新的读电压再一次从多个存储单元中获得所述读数据。