半导体器件及其制造方法

摘要

公开了一种结构及其制造方法，通过该结构可减轻可能在底栅薄膜晶体管中的源电极与漏电极之间出现的电场集中，并抑制开关特性的的劣化。制造了一种底栅薄膜晶体管，在该底栅薄膜晶体管中氧化物半导体层被设置在源电极和漏电极上，而且与氧化物半导体层接触的源电极的侧表面的角θ1和与氧化物半导体层接触的漏电极的侧表面的角θ2分别被设置为大于或等于20°且小于90°，从而增大了各个电极的侧表面中从上边缘到下边缘的距离。

主权项

一种半导体器件，包括：在具有绝缘表面的基板上形成的栅电极；在所述栅电极上形成的绝缘层；在所述绝缘层上形成的源电极和漏电极；以及在彼此相对的所述源电极的侧表面与所述漏电极的侧表面之间形成的氧化物半导体层，所述氧化物半导体与所述栅电极交迭，且所述氧化物半导体层与所述栅电极之间插入有绝缘层，其中所述氧化物半导体层至少与所述源和漏电极各自的侧表面接触，以及其中所述基板的表面与所述源电极的所述侧表面之间形成的第一角和所述基板的所述表面与所述漏电极的所述侧表面之间形成的第二角分别大于或等于20°且小于90°。