发明名称 |
固态成像器件及其制造方法和成像设备 |
摘要 |
本发明涉及固态成像器件及其制造方法和成像设备。固态成像器件包括:被设在半导体衬底上并且将入射光光电转换成信号电荷的光电转换部;被设在半导体衬底上并且将从光电转换部读出的信号电荷转换成电压的像素晶体管部;和被设在半导体衬底上并且将光电转换部与设有像素晶体管部的活性区分隔开的元件隔离区。像素晶体管部包括多个晶体管。在这些晶体管中,在至少一个其栅电极的栅极宽度方向朝向光电转换部的晶体管中,栅电极的至少光电转换部侧部分隔着栅绝缘膜被设在活性区内且活性区上。 |
申请公布号 |
CN101740590A |
申请公布日期 |
2010.06.16 |
申请号 |
CN200910208383.0 |
申请日期 |
2009.11.12 |
申请人 |
索尼株式会社 |
发明人 |
松本拓治;田谷圭司;山口哲司;中田征志 |
分类号 |
H01L27/146(2006.01)I;H01L21/82(2006.01)I;H04N5/335(2006.01)I;H04N5/225(2006.01)I |
主分类号 |
H01L27/146(2006.01)I |
代理机构 |
中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 |
代理人 |
李渤 |
主权项 |
一种固态成像器件,包括:光电转换部,该光电转换部被设在半导体衬底上并且将入射光光电转换成信号电荷;像素晶体管部,该像素晶体管部被设在所述半导体衬底上并且将从所述光电转换部读出的信号电荷转换成电压;和元件隔离区,该元件隔离区被设在所述半导体衬底上并且将所述光电转换部与活性区分隔开,所述像素晶体管部被设在该活性区中,其中,所述像素晶体管部包括多个晶体管,并且其中,在所述多个晶体管中,在至少一个其栅电极的栅极宽度方向朝向所述光电转换部的晶体管中,该栅电极的至少光电转换部侧部分隔着栅绝缘膜被设在所述活性区内且所述活性区上。 |
地址 |
日本东京 |