8晶体管型低漏电静态随机存取内存单元

摘要

本发明揭露一种静态随机存取内存(static random access memory，SRAM)单元，包含一对交错耦合反向器，含有第一储存节点，以及第一N型金属氧化物半导体晶体管，含有栅极，第一与第二源/漏极，分别与第一储存节点，读入字符线(read word-line，RWL)以及第一读入位线(read bit-line，RBL)相连，读入字符线以及第一读入位线在进行读取动作时被启动，而在进行写入动作时不被启动。

主权项

一种静态随机存取内存单元，其特征在于，包含：一对交错耦合反向器，含有一第一储存节点；以及一第一N型金属氧化物半导体晶体管，含有一栅极，一第一与一第二源/漏极，分别与该第一储存节点，一读入字符线以及一第一读入位线相连，该读入字符线以及该第一读入位线在进行一读取动作时被启动，而在进行任一写入动作时不被启动。