发明名称 |
图像传感器及其制造方法 |
摘要 |
一种图像传感器和制造图像传感器的方法。制造图像传感器的方法可包括以下步骤:在包含有电路的半导体衬底上方形成互连和/或层间电介质,其中该电路连接到互连。制造图像传感器的方法可包括以下步骤:在层间电介质上方形成具有第一掺杂层和/或第二掺杂层的光电二极管;形成穿过光电二极管的通孔,该通孔可暴露出互连的表面的一部分。制造图像传感器的方法可包括以下步骤:在通孔上方形成阻挡图案,该阻挡图案可覆盖第二掺杂层的暴露表面;以及在导孔上和/或上方形成接触插塞,该接触插塞将互连与第一掺杂层相连接。可蚀刻接触插塞的上部。在接触插塞上方可形成绝缘层。该方法能将光路最小化,从而提高了光灵敏度,并使分辨率和灵敏度最大化。 |
申请公布号 |
CN101740595A |
申请公布日期 |
2010.06.16 |
申请号 |
CN200910221300.1 |
申请日期 |
2009.11.11 |
申请人 |
东部高科股份有限公司 |
发明人 |
尹基准;柳商旭 |
分类号 |
H01L27/146(2006.01)I;H01L21/768(2006.01)I;H01L23/528(2006.01)I |
主分类号 |
H01L27/146(2006.01)I |
代理机构 |
隆天国际知识产权代理有限公司 72003 |
代理人 |
姜燕;邢雪红 |
主权项 |
一种方法,包括以下步骤:在包含有电路的半导体衬底上方形成互连和层间电介质,使得所述互连被连接到所述电路;在包含有第一掺杂层和第二掺杂层的所述层间电介质上方形成光电二极管;形成穿过所述光电二极管的通孔,所述通孔暴露出所述互连的表面的一部分;在所述通孔上方形成阻挡图案,所述阻挡图案覆盖所述第二掺杂层的暴露表面;在所述通孔上方形成接触插塞,所述接触插塞将所述互连与所述第一掺杂层相连接;蚀刻所述接触插塞的上部;以及在所述接触插塞上方形成绝缘层。 |
地址 |
韩国首尔 |