发明名称 用于集成电路器件的熔丝结构
摘要 本发明提供了一种用于IC器件的熔丝结构以及制造该结构的方法。该熔丝结构包括形成在半导体衬底的一部分上的含金属导电带。一个介电层形成在半导体衬底上,覆盖该导电带。第一互连和第二互连形成在延伸通过该介电层的通孔中,第一互连和第二互连都物理且电连接到导电层的一部分。第一和第二布线结构形成在该介电层之上,分别电接触该第一和第二互连。上述互连的其中一个和上述带之间的接触区域被选择,以便当预先选择的电流施加到该熔丝结构时发生电迁移。
申请公布号 CN101740543A 申请公布日期 2010.06.16
申请号 CN200910207119.5 申请日期 2009.10.23
申请人 台湾积体电路制造股份有限公司 发明人 庄学理;郑光茗;钟升镇;梁孟松
分类号 H01L23/525(2006.01)I;H01L23/528(2006.01)I;H01L21/768(2006.01)I 主分类号 H01L23/525(2006.01)I
代理机构 北京市德恒律师事务所 11306 代理人 梁永
主权项 一种熔丝结构,包括:含金属导电带,其置于半导体衬底的一部分上,其中该带沿着第一方向延伸且具有均匀线宽;介电层,其置于该半导体衬底之上,且该介电层覆盖该带;第一互连和第二互连,延伸通过该介电层,该第一互连和第二互连都物理且电接触该带的顶表面,该第一互连在第一界面处接触该带,且该第二互连在第二界面处接触该带;第一布线结构,其形成在该介电层之上,且与该第一互连电接触;以及第二布线结构,其形成在该介电层之上,且与该第二互连电接触,其中该带的该顶表面包括无硅材料,且其中该第二界面的面积足够小,以便预先选择的电流应用可在该第二界面处产生电迁移。
地址 中国台湾新竹
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